Im Rahmen des Interreg-Projekts PEMOWE werden fortgeschrittene zerstörungsfreie Prüfmethoden zur Analyse moderner Leistungselektronik entwickelt und demonstriert. Ein besonderer Fokus liegt auf der Untersuchung von SiC-basierten MOSFETs, die in energie- und mobilitätsrelevanten Anwendungen extremen elektrischen, thermischen und mechanischen Belastungen ausgesetzt sind. In komplexen, mehrlagigen Leiterplattenbaugruppen bleiben kritische Schadensmechanismen häufig verborgen, da Halbleiterchips, Lötverbindungen und Kupferstrukturen stark unterschiedliche Materialkontraste aufweisen. Durch die Zusammenarbeit im Konsortium wurden verschiedene Prüfmethoden kombiniert, u.a. Röntgen-Laminographie, Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Akustische Mikroskopie, um solche verborgenen Defekte erstmals systematisch sichtbar gemacht und analysiert werden.
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