Veranstaltungsort: Online
Teams - Link: https://teams.microsoft.com/meet/360700385334295?p=uTwQpTbfPIpaTaej80
Datum: 18. August 2026
Uhrzeit: 13:00 - 15:00
Anmeldung: kostenlos
In diesem Vortrag präsentiert Simon Zabler von der Technischen Hochschule Deggendorf ausgewählte Ergebnisse aus dem Forschungsprojekt PEMOWE – Prüf-Netzwerk für die Energie- und Mobilitätswende. Im Fokus stehen computertomographische Untersuchungen elektronischer Komponenten sowie die Möglichkeiten der CT, innere Strukturen, Fertigungsmerkmale und potenzielle Defekte dreidimensional und zerstörungsfrei sichtbar zu machen.
Der Vortrag kann hier abgerufen werden: Youtube-Link. Er ist Teil der PEMOWE-Abschlussveranstaltung vom 18. August 2026, bei der unterschiedliche Prüf- und Analyseverfahren für elektronische Bauteile und Leistungselektronik vorgestellt werden.
Veranstaltungsort: Online
Teams - Link: https://teams.microsoft.com/meet/360700385334295?p=uTwQpTbfPIpaTaej80
Datum: 18. August 2026
Uhrzeit: 13:00 - 15:00
Anmeldung: kostenlos
Begrüßung
13:00 – 13:10: Willkommen und Überblick über das PEMOWE-Projekt; Sascha Senck (Fachhochschule Oberösterreich)
Vorträge
· 13:10 – 13:30: Leistungselektronik für die E-Mobilität; Otto Kreutzer (Technische Hochschule Deggendorf); Kontakt:
· 13:30 – 13:50: Computertomographische (CT) Untersuchung von elektronischen Bauteilen - Grundlagen; Sascha Senck (Fachhochschule Oberösterreich); Kontakt:
· 13:50 – 14:10: Computertomographische Untersuchung von elektronischen Bauteilen - Ergebnispräsentation; Simon Zabler (Technische Hochschule Deggendorf); Kontakt:
· 14:10 – 14:30: Industrielle Mikroskopie für Elektronikbauteile; Stephan Kasemann (Fachhochschule Vorarlberg); Kontakt:
· 14:30 – 14:50: Scanning acoustic microscopy and thermal impedance spectroscopy for non-destructive testing of power semiconductor modules; Cuong Hoang (Hochschule Kempten); Contact:
Im Rahmen des Interreg-Projekts PEMOWE werden fortgeschrittene zerstörungsfreie Prüfmethoden zur Analyse moderner Leistungselektronik entwickelt und demonstriert. Ein besonderer Fokus liegt auf der Untersuchung von SiC-basierten MOSFETs, die in energie- und mobilitätsrelevanten Anwendungen extremen elektrischen, thermischen und mechanischen Belastungen ausgesetzt sind. In komplexen, mehrlagigen Leiterplattenbaugruppen bleiben kritische Schadensmechanismen häufig verborgen, da Halbleiterchips, Lötverbindungen und Kupferstrukturen stark unterschiedliche Materialkontraste aufweisen. Durch die Zusammenarbeit im Konsortium wurden verschiedene Prüfmethoden kombiniert, u.a. Röntgen-Laminographie, Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Akustische Mikroskopie, um solche verborgenen Defekte erstmals systematisch sichtbar gemacht und analysiert werden.
Konferenzhomepage: Link
Hands-on-Workshop zur Leistungshalbleiterfertigung für Industrieunternehmen
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